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“DRAM芯片战争1970”

发布日期:2021-06-03 14:24:01 浏览:

/ S2/] 1970 -输了1000亿美元的生死搏斗【3】

  

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1945年8月15日,在日本东京皇宫外,东京电台播放了昭和天皇裕仁宣读日本无条件投降诏书的消息。 很多日本老百姓跪在地上哭个不停。 这一天,600名日本军官自杀,逃脱了战败投降的命运。 东京的城市已经在美国军队里,经过半年的轰炸,变成了废墟。 联合通信的照片

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1945年战后,日本作为战败国,经济受到严重打击; 但是,日本最核心的资产是工程师团队得以生存。 开发大和型战舰、樱花自杀机的日本技术人员们,转向了民间造船、家电产品、钢铁、汽车、摩托车、电子、石油化学行业,加速了日本战后经济的重建。

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1948年中国国民党惨败后,美国确定日本为亚洲对抗苏联的桥头堡。 从1950年开始,中美两国在朝鲜战场上打了三年血战。 美国巨额军需订单使日本经济走出了二战战败的泥潭。 美国为了带领日本对抗苏联,向日本转移了数百项先进技术。 黑白、彩色显像管电视、晶体管收音机、录音机、计算器、冰箱、洗衣机等,在当时是最好的民生费物。 日立、三菱、东芝、nec、松下、三洋、富士通、索尼、夏普、冲合电气( oki )等日本企业在这一阶段廉价获得了大量的美国专利技术,为战后日本电子产业的迅速发展奠定了基础。

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那个时候,美国人绝对没有想到日本的电子产业会壮大到与美国作对的日子。

  

1958年,北辰电气( hokushin electric )为nec neac-2201晶体管计算机,开发了容量为64k的md-2a磁鼓存储器,每分钟转速可达到10000转。 北辰电气随后被横河电机收购,消失在历史中。

在日本电子产业成长期从美国购买核心技术

明治维新以来,日本经济的一大特征是在政府主导下进行产业技术升级。 1948年,日本内阁在通商产业省(通产省)下设立了工业技术厅。 1952年更名为工业技术院,经费完全由财政支付,负责推动日本整体产业技术的快速发展。 1953年,日本东京通信工业企业( sony前身)副社长盛田昭夫,花费900万日元( 2.5万美元),从美国西屋电气引进晶体管技术,生产晶体管收音机。 1956年sony袖珍收音机上市后,一炮而红,索尼迅速崛起。 受此影响,日立、三菱、nec、oki、东芝、三洋等企业相继从美国rca和西屋电气购买了晶体管专利许可证。 随着规模化生产,日本晶体管的价格明显下降。 1953年索尼试制的晶体管一个4000日元( 11美元),但1958年降到了200日元( 0.56美元)。 1959年,日本的晶体管产量达到8650万个,产值约160亿日元( 4445万美元)。

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当时日本与美国相比在技术上有差距,唯一的特点是人工便宜。 东京电子工厂的日本工人月薪不到30美元。 美国工人的月薪是380美元。 在计算机方面,1956年,通产省工业技术院电气试验所由高桥茂等人负责,开发了日本第一台晶体管计算机etl mark iii,比美国晚了两年。 之后,东京大学开发了pc-2电脑。 1957年,通产省颁布了电子工业振兴临时措施法(电振法57-71年),限制外资进入日本,以保护本国市场,吸引日本企业迅速发展半导体电子产业。 1958年4月,日本大型电子制造商合作,成立了日本电子工业振兴协会( jeida ),对计算机进行了集体攻击。

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1958年9月,在通产省工业技术院电气试验所的技术援助下,日本nec企业发售了neac-2201晶体管计算机。 这是日本第一台完全国产化的计算机。 使用的是北辰电气( hokushin electric )开发的磁鼓存储器,容量为64k。 日本为了炫耀这个成果,搬到了巴黎公开展示。

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1960年,日本通产省工业技术院电气试验所,成功开发了日本第一个晶体管集成电路。 这是参加研究开发的中坚成员,从左开始分别是传田精一(研究员、东北大学工学博士)、垂井康夫)、半导体部晶体管研究室主任(、井上子、鸣神长昭。

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日本的官产学体系集中全力攻击战术产业

1959年2月,美国德克萨斯仪器发表了集成电路。 1960年2月,美国西屋电气( westinghouse )公开表示,半导体是未来的主流技术。 太平洋对岸的成果,给日本带来强烈的刺激。 从1960年开始,日本形成了官产学体系,政府、公司、大学共同向集成电路技术发起攻击。 1960年12月,通产省电试验所成功开发了日本第一个晶体管集成电路。 研究成员有传田精一、垂井康夫等人。 1961年4月8日,日本东京大学工学部的柳井久义、菅野卓雄、多田邦雄、柳川隆之4位教授发表了与nec企业合作在晶体管集成电路上进行的基础研究。

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1962年,日本的nec为了应对晶体管集成电路的制造问题,支付了技术许可费,从美国的仙童企业那里买来了晶体管平面光刻生产技术。 处理生产问题后,日本nec的集成电路产量急剧增加。 1961年为50美元,但1962年增加到1.18万美元,1965年达到5万美元。 在此期间,nec开发了neac-1200系列、neac-2200系列等多种型号的晶体管集成电路计算机。 日立企业与美国rca合作,日立半导体事业部的大野稔等人开发了mos型晶体管。 1966年,日立发表了第一代mos集成电路hd700,用于计算机,使用了15微米的生产技术。 夏普、三菱也在各自的计算机产品中采用了集成电路的新技术,并将日本的集成电路迅速作为产业基础。 到1970年,日本nec的集成电路产量达到3998万元。

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作为对策,从1956年开始,中科院组织了黄昆博士、谢希德博士、林兰英博士、王守武博士等,开始研究平面光刻技术。 1963年中国科学院计算机研究所开发了第一台国产晶体管大型计算机109架,用于核武器工程。 1964年开发了晶体管集成电路。 以中科院和电子工业部为中心,中国形成了带动军事工业的庞大电子科研体系,下属各类电子公司超过2500家,全面领先韩国和台湾,但市场化程度不及日本,当时中国的民间费用市场仅限于收音机和电视。

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1968年4月,美国德克萨斯仪器董事长p.e.haggerty与日本索尼社长井深大签署了各持有50%股份的合同,在日本设立了子公司。 后面左边站着盛田昭夫副社长。

你想用市场交换技术占领日本市场吗? 不要做梦

20世纪60年代,为了保护日本幼稚的电子工业,日本政府坚决实行贸易保护主义,只允许极少数电子零部件进口,限制了200日元以下的中低端ic零部件的进口。 限制美国企业采用提高进口关税、发放进口许可证等方法打击日本市场。 最典型的例子是德克萨斯的机器。 1964年,美国德州仪器看到日本电子工业快速增长,想在日本设立100%独资子公司,但日本通产省死活不同意。 谈判长达4年之后,日本政府终于松口了,但提出了极其苛刻的条件与核心技术进行交换。 改革开放后,看起来和用中国使用的市场交换技术买政策一样,但是里面的诀窍大不相同。

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1966年,美国德克萨斯仪器为了打开日本市场,用自己拥有的ic工艺核心专利引导日本。 可以说,通产省为了掌握技术、保护日本市场,正在绞尽脑汁。 1968年4月,日本索尼社长井深大露面,与德州仪器会长哈格蒂( p.e.haggerty )签署协议,双方占股份的50%,成立了合资企业。 条件是德克萨斯仪器必须在三年内向日本公开相关技术专利。 同时德州仪器的产品在日本市场不得超过10%。 有了这样严格的限制,日本政府牢牢掌握着本国市场,不怕美国公司不交出核心技术。 之后,韩国政府也学习了这一招来对付日本和美国的公司。

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伟大的革命家列宁说:“资本家为了利益可以卖掉自己的绳子,绞死他。” 日本产业界正是抓住了核心优势,迅速发展和壮大了自身。 这和改革后,中国使用市场交换技术政策,使全国电子产业彻底崩溃的中国市场被日本、美国、韩国、台湾的合资制造商全面联合占领,成为鲜明的目标。 30年来,中国电子产业市场的损失至少超过了1万美元。 谁应该承担这个历史罪行?

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1964年,美国ibm公司推出的system-360计算机是划时代的,在计算机在社会上运行中,越来越占据核心地位。

ibm的大型计算机日本企业望尘莫及

20世纪60年代,美国和日本开始了集成电路的产业化进程,但美国的实力远远不如日本。 1964年4月7日,美国ibm企业发布了首款小规模集成电路计算机system-360,计算速度超过百万次。 这台机器是ibm历史上的惊人赌注,52.5亿美元(约4285吨黄金,现值1812亿美元,足以建造7艘原子能航空(/k0/)母舰)。 ibm企业招募了6万多名新员工,新建了5个工厂,指令集突破了操作系统、数据库、集成电路等软硬件的难关,获得了300多项专利。 这台机器每台250-300万美元,到1966年已销售8000多台,ibm年收益突破40亿美元,净利润10亿美元。 迅速占领了美国大型计算机市场的98%、欧洲的78%、日本的43%的市场份额。 ibm成为了世界电子产业难以撼动的蓝巨人。

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年收入40亿美元是什么概念? 1961年美国建造了世界上第一艘原子能航空空母舰,但消耗了4亿5000万美元。 1966年中海外汇储备为2亿1100万美元。 即使中国动员全国力量开发原子弹、氢弹、导弹、卫星,也只消耗20亿美元左右。 由此可见,当时ibm就像巨人的压轴一样,让其他公司奄奄一息,赶超了众多同行竞争对手。

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美国企业取得的巨大成功,给日本带来了强烈的冲击。 1966年,由日本通产省主导,推进了超高性能大型计算机的开发计划。 目标是五年内投资120亿日元( 0亿3400万美元),追赶美国ibm的大型计算机。 以产省电试验所为中心,日立、东芝、nec、富士通、三菱、冲电气( oki )等公司组成团队,对日立开发的hitac 8000系列大型计算机进行了升级改造。 hitac 8000的实际技术来源于美国rca与日立合作开发的spectra-70大型机。 从集成电路,cpu,接口,软件,都是拷贝美国产品。 花这么多钱,想要追赶ibm,这个计划注定要失败。

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有一句话叫做丢西瓜捡芝麻,虽然大型计算机计划失败了,但是参加这个项目的日本nec企业成为了日本第一个开发dram存储器的公司。 1966年的时候,hitac 8000要求配备512k容量的高速存储器,这是极高的技术指标。 因此,nec对nmos工艺进行了研究,1968年公开了使用nmos工艺生产的144bit sram静态随机存储器。 开发者是nec半导体部门的大内淳义等人。 这是非常了不起的成果。 两年后,美国的英特尔推出了同类产品。 1970年英特尔开发c1103 1k dram存储器后,日本nec在第二年使用了nmos工艺的1k dram存储器(型号μ pd403 )。 使nec成为了日本内存领域的领军公司。

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1962年,日本富士通开发的facom 602磁带机,将记录密度提高到333bpi,用于facom 241d计算机。

紧逼日本开放市场的日本企业的产业反击战

从1965年到1970年,美国集成电路市场诉求急剧增长,年增长率超过16%。 日本政府和公司界看到了这一商机,但在产业技术上与美国有很大差距。 但是,日本有很多有特色的日本人在美国工作。 像江崎玲于奈这样的电子专家,长期在美国顶尖的ibm实验室工作,可以轻松获取大量的经济信息,提供给日本产业界。

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1972年,美国ibm企业fs(futuresystem )计划的一部分副本被公开。 ibm投入巨额资金,计划到1980年开发1m dram存储芯片,应用于下一代计算机。 当时,美国最先进的dram存储器只不过是4k大小。 这给还停留在1k dram技术水平的日本公司带来了强烈的危机感。 于是,日本电子工业振兴协会继续运营,1975年开始了以通产省为中心的下一代电子计算机用超lsi研究开发计划构想,开始商谈如何应对ibm的fs计划。 1975年7月,通产省成立了官民共同参与的超lsi研究开发政策委员会。 当时,日本的大制造商尽管竞争激烈,但一致决定共同抵制ibm巨人。 (超lsi是超大规模集成电路的意思)

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1974年,日本在美国要求开放市场的政治压力下,放宽了对计算机和电子零部件的进口限制。 短短一年,美国的ibm电脑就像用热刀切黄油一样席卷了日本的大型计算机公司。 受技术差距的阻碍,日本产业界放弃了在整个计算机单元上与ibm正面作战,选择了dram存储器产品作为产业的突破口。 因为日本的软件能力很差,cpu等零部件与软件的关联性很高,日本不能吃。 dram存储器芯片与软件的关联性弱,但毛利率高。 在生产技术、成品率、生产能力方面下功夫的话,日本有成功的机会。

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最先进的是国营的日本电信电话株式会社( ntt ),从1975年到1981年,ntt投资了400亿日元( 1.6亿美元),进行了超大规模集成电路研究。 终于在1980年开发出了256k dram。 ntt的大量购买,使日本的256k dram迅速成为了生产能力的特征。 除ntt外,日本产业界还在进行第二个技术难关计划。

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1977年5月5日,日本vlsi技术研究所宣布,成功开发了可变尺寸的矩形电子束扫描装置。

举国体制下募集720亿日元开发dram核心器件

七十年代,日本可以生产dram存储器芯片,但最重要的工艺设备和生产原料必须从美国进口。 为了补充短板,1976年3月,经过通产省、自民党、大藏省的多次协商,日本政府启动了dram制法改革创新国家项目。 日本政府出资320亿日元,日立、nec、富士通、三菱、东芝5家公司共同筹措400亿日元。 共投入720亿日元( 2.36亿美元)作为基金,由日本电子综合研究所和计算机综合研究所牵头,成立了国家科学研究机构vlsi技术研究所(超lsi技术研究工会)。 研究所的地址被选为位于川崎市高津区的nec中央研究所。 日立企业社长吉山博吉担任董事长,根桥正人担任业务指导,垂井康夫担任研究所所长,组织了800多位技术精英,共同开发了国产高性能dram工艺设备。 目标是近期突破64k dram和256k dram的实用化,长期在10-20年内实现1m dram的实用化。 ( vlsi是超大规模集成电路的简称)

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在这个技术攻关体系中,日立企业(第一研究室)负责电子束扫描装置和微型投影紫外线曝光装置,右高正俊担任室长。 富士通企业(第二研究室)开发可变尺寸的矩形电子束扫描装置,中村正担任室长。 东芝(第三研究室)负责eb扫描装置和制版复印装置,武石喜幸担任室长。 电气综合研究所(第四研究室)进行硅结晶材料的研究,饭冢隆担任室长。 三菱电机(第五研究室)开发了工艺技术和投影曝光装置,奥泰二担任室长。 nec企业(第六研究室)进行产品的封装设计、测试、判断研究,川路昭担任室长。

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在产业化方面,日本政府向半导体公司提供了16亿美元的巨额资金,包括退税、低息贷款等资金支持政策,帮助日本公司建立了dram集成电路产业群。 到1978年,日本富士通企业成功开发了64k dram大规模集成电路。 美国ibm、莫斯蒂克和德克萨斯仪器也在发布产品。 这一年,由于日本的64k动态随机存储器( dram )开始进入国际市场,集成电路的出口迅速增加。

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1980年,日本的vlsi联合研究开发体宣布完成4年的vlsi项目。 期间申请的实用新型专利和商业专利达到1210件和347件。 作为研究开发的第一成果,有各种电子束曝光装置、使用紫外线、x射线、电子束的各种制版复印装置、干蚀刻装置等,备受瞩目。 与高难度高风险研究课题相比,vlsi项目采用多实验室聚集围攻的方法,动员各部门进行良性竞争,保证研发成功率。 各公司的技术整合保证了dram的批量生产成功率,构筑了日本在dram市场的霸权。

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20世纪70年代,日本的松下电器京都府长冈工厂,是整齐排列的100台自动焊接机,只需要10个操作。 这家工厂从1968年开始生产半导体。 20世纪70年代,美国将电子制造业转移到马来西亚、韩国和台湾,降低了劳动力成本。 日本使用大规模自动化生产的方法来降低价值成本。 日本报纸惊讶地写道:“半导体工厂的人消失了。”

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得到了丰厚的回报,日本跃居世界第一的dram生产国

1977年,全球电脑出货量共计约4.8万台。 到1978年激增到20万辆,市场规模约为5亿美元。 其中,美国radio shack企业(电器连锁零售店)销售的tandy trs-80电脑约10万台,均价600美元,销售额6000美元,使用的是盖茨新开发的操作系统, 苹果公司的苹果ii销量达到2万台,平均单价1500美元,是高端产品,年销售额约为3000万美元。 个人电脑市场的迅速发展,给内存带来了很多诉求。 这给日本的dram制造商带来了出口机会。

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从事贸易的人都知道,出口商品不仅成本低廉,质量也很好。 当时,美国人认为日本的东西质量很差,远不及美国的东西。 但实际结果令人瞠目。 1980年,美国惠普公司公布了dram内存的购买情况。 对投标的3家日本企业和3家美国企业的16k dram芯片,质量检查结果表明,美国最高dram企业的芯片不合格率,比日本最坏dram企业的芯片不合格率高出整整6倍。 惠普阻碍了爱情,但没有提到这些企业的名字。 但很快就会知道,三家美国公司是英特尔、德克萨斯仪器、摩斯泰克,三家日本公司是nec、日立、富士通。 日立企业为了取得订单,也必须在对销售部门的指示下确定要求,比美国企业的价格低10%。

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质量好,价格低,量足,日本的dram存储器在美国迅速崛起。 1982年,日本成为世界上最大的dram生产国。 今年3月,日本nec的九州工厂dram的月产量为1000万枚(约1万枚晶片)。 到了10月,月产量猛增到1900万元。 产量高,成品率高,成品率超过80%,质量好,比不上美国公司。 随着产量的增加,原本价格就很高的dram存储器模块,价格暴跌了90%。 一两年前还卖100美元的64k dram存储器芯片,现在5美元就能买到了。 日本的制造商能赚钱。 美国公司因芯片成品率低,无法与日本竞争,陷入困境。

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1982年,美国50家半导体公司秘密组成技术共享联盟,不让资金人力重新投资。 但是,这些合作项目才刚刚开始,就传来了坏消息。 美国刚开发出256k dram存储器,富士通、日立的256k dram已经批量生产。 1983年期间,销售256k内存的企业中,除富士通、日立、三菱、nec、东芝外,只有一家摩托罗拉是美国企业。 光是nec九州工厂的256k dram的月产量,就达到了300万元。 日本制造商推出的大量生产能力,使这一年dram的价格暴跌了70%。 随着内存价格暴跌,跟进投资技术设备更新的美国企业,陷入巨额亏损状态。 不堪赤字的美国企业,从dram市场撤出,进一步强化了日本制造商的特征地位。

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1978年3月15日,日本朝日信息报道,垂井康夫担任所长的vlsi技术研究所成功开发了电子束扫描装置。

低价的特点美国制造商相继败退

1984年,日本的dram产业进入了技术爆炸期。 通产省电子所成功开发了1m dram,三菱公开展示了4m dram的关键技术。 日立制造的dram存储器已经开始使用1.5微米的制造工艺。 东芝电气综合研究所将投资200亿日元建设超纯事务所。 在这个超洁净工厂内,每立方米的净化空气体中,直径0.1微米的粒子不得超过350个。 只有在这种条件下才能制造1m、4m容量的dram存储器。 然后,东芝开发了直径8英寸( 200mm )级的、世界上最大直径的硅片棒。 截止到1986年,仅东芝一家,每月1m dram的产量就超过了100万元。

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由于日本公司大量投资形成的产业特点,日本半导体对美国的出口额从1979年的4400万美元激增到1984年的23亿美元。 5年内激增52倍! 而且,美国出口到日本的半导体只有两倍。 美国企业失去产品竞争力的结果是,越想赶上就越必须投资,越投资损失越大,陷入恶性循环。

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以英特尔为例,原本到1978年前后,英特尔在莫斯泰克的猛攻下,已经扮演了美国dram市场的落后角色,美国市场占有率低于20%。 但是,1980年以后,日本的dram产品大量出口到美国,英特尔就无法维持生活了。 虽然dram产品只占英特尔销售额的20%,但为了维持这一核心业务,公司80%的研发支出都投入到了dram内存中,这显然是本末倒置。 在英特尔终于开发出新的dram产品之前,日本制造商已经在低价销售产品,所以英特尔没有利润,研发费也赚不到。 1984年至1985年间,陷入巨额损失的英特尔被迫裁员7200人,但仍未能扭转困境。 1985年10月,英特尔宣布退出外部dram市场,关闭7家生产dram的工厂。

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1985年,全球半导体产业转入经济衰退,半导体价格大幅下跌。 64k dram从1984年的3美元降至1985年中旬的0.75美元。 同期,256k dram从31美元降至3美元。 价格暴跌迫使美国的英特尔、国家半导体等制造商退出dram市场。 但是,同年,日本nec的集成电路销售额位居世界第一,公司销售额是二战前的300倍以上,一举超过了长期以来位居领域前列的美国德克萨斯仪器企业。 由于vlsi项目的成功,日本企业一举占据了64k、128k、256k、1m dram市场的90%的份额。

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1991年6月,村田良平驻美国大使、布什政府的美国贸易代表卡拉·; 安德森&米德; 希尔斯在华盛顿签署了新的五年“日美半导体协定”。 美国希望到1992年底在日本半导体市场占有20%的份额。 这个协定让美国公司喘不过气来,韩国的半导体产业异军突起。 截至1995年底,外国半导体在日本的市场占有率超过了30%。 希尔斯这个女人很厉害。 中国的很多对美贸易谈判都以她为对象。

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日本廉价的芯片攻势美国挥舞着反倾销大棒

对此,美国公司认定是日本人倾销导致了价格暴跌。 1985年6月,美国的英特尔、amd等半导体企业联合起来,相继控诉了日本的不公平贸易行为。 敦促美国半导体工业协会向政府游说,向国会提交正式的301条文草案,要求美国政府制止日本企业的倾销行为。 1985年10月,美国商务部制定法案,指控日本企业倾销256k dram和1m dram。

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随后,美国商务部与日本通产省就第301条和反倾销诉讼进行了谈判。 1986年9月,日本通产省首次与美国商务部签署了《美日半导体协定》。 根据该协定,美国暂停了对日本公司的反倾销诉讼。 但是,作为交换条件,要求日本政府促进日本公司,购买美国生产的半导体,加强对政府价格的监督体制,防止倾销。 同时美国的半导体产品可以将在日本的市场占有率缓和到20%。 日美半导体协定的签订在日美贸易摩擦史上具有重要的作用。 这标志着美苏冷战后期,美国转向全力扶植日本经济,全面打压日本经济。

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美国的制裁没能很快抑制日本的技术特点。 1986年,日本的nec开发了世界上第一个4m dram。 日本的ntt在第二年展示了16m dram样本。 到1988年,世界20大半导体制造商中,日本占11家,美国只有5家。 而且日本公司承担了前三名。 日本的nec以45亿4300万美元的收益总额位居世界第一,东芝以43亿9500万美元排名第二,日立以35亿美元排名第三,美国摩托罗拉以30亿美元排名第四,德州仪器以27亿4000万美元排名第五。 富士通以26亿美元排在第6位,英特尔以23亿5000万美元排在第7位。 荷兰的菲利普斯以17亿3800万美元名列第十。 唯一上榜的韩国三星以9亿美元排在第18位。 第20位德国西门子,只有7亿8400万美元。 这一年,日本已经超过美国,成为世界第一的半导体生产国。

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盛衰是自然规律,商业行业也是如此。 1989年日本泡沫经济崩溃,经济进入停滞阶段。 进入20世纪90年代,随着苏联的解体,美国收割了冷战的红利。 在美国的刻意遏制下,日本的国际竞争力迅速衰退,半导体的全球份额迅速滑落至50%,2000年以后更是下降至20%左右。 如此崩溃的迅速坠落震惊了世界,怀疑到底发生了什么。

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如果日本制造商像悬崖一样坠落放弃投资,就会死亡

虽然美国、日本制造商的崛起在循环,但其实道理很简单,关键是投资。 1973年世界石油危机后,欧美经济停滞,美国不断减少对半导体行业的投资。 此时,美国对日本还有五年左右的技术特点。 但在这一时期,日本通过1976年vlsi计划的巨额投资,帮助日本公司在技术上赶超了美国。 日本政府的财税资金补贴帮助日本公司确立了生产能力的特点。 1978年电脑市场爆发后,日本公司享受到了产业投资带来的巨额利润。 美国公司在前期放弃了投资,因此失去了竞争力。 这时,产业投资的竞争门槛从70年代的几亿美元级迅速增长到80年代的几十亿美元级。 美国产业界在失去投资-利润循环的机会后,已经没有能力再追加几十亿美元的巨额投资来与日本较量了。

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日本公司迅速坠毁也是这个原因。 1985年,日本制造商拿出大量生产能力,以暴跌的产品价格压垮了美国同行。 但是,产业萧条的结果是,日本制造商也失去了盈利能力。 利润减少后,日本公司纷纷减少了对半导体的技术设备投资。 仅1985年,由于市场不景气,日本公司就砍掉了近40%的设备更新投资,最终投资额为4780亿日元( 19.9亿美元)。 1986年市场还没有转暖。 虽然1987年的诉求有所恢复,但日本各制造商对投资较为保守,本年度投资额仅为2650亿日元( 18.4亿日元),仅占营业收入的15.3%。

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1988年市场上开始普及1m dram内存,但由于还留有上次半导体经济衰退的殷鉴,日本制造商对设备投资十分谨慎保守。 日元升值迅速,日本房地产泡沫盛行,许多制造商向房地产领域投入了资金。 日本产品的价格竞争力急剧衰退。 韩国的三星、现代、lg等制造商在这个阶段疯狂投资,迅速超过了日本。 到1992年,韩国三星将日本nec挤出了dram产业世界第一的宝座。

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(中国的电子产业在20世纪80年代完全崩溃,正是放弃投资就会死亡的市场规律也得到了验证。 )

2004年,埃尔比达在广岛建造了12英寸dram晶片工厂。 建设8英寸晶圆厂需要投资10-15亿美元,建设12英寸晶圆厂,激增至20-30亿美元。 由于超大规模的投资,dram产业开始用刀片跳舞,只要稍有疏忽,就会全部毁灭。 尔必达也在沉重的债务之下,终于轰然倒下了。

“DRAM芯片战争1970”

日本尔必达三家协力最终灭亡

1992年在西班牙举办了巴塞罗那奥运会。 本来预计市场会转暖,但最终4m dram没有像预期的那样卖出去,日本各工厂被迫减产阻止了市场价格的下跌。 这加速了韩国制造商的崛起,韩国三星取代了日本制造商的龙头。 更令日本人懊恼的是,曾经被日本人逼到濒临破产边缘的美国英特尔,与微软合作,结成了wintel同盟,依赖cpu产品取得了巨大的成功。 1996年,英特尔以177亿7800万美元的巨额收益击败日本nec(104亿美元),夺回半导体世界第一大工厂的宝座。

“DRAM芯片战争1970”

1995年,微软不久就发布了windows 95,引起了市场的巨大反响。 日本的dram制造商还试图大幅扩张生产能力,恢复产业特征。 但是,韩国制造商也在这个时候大幅扩张了生产能力。 结果,1996年dram价格下跌了70%。 1997年的亚洲金融危机,进一步加剧了市场的衰退。 这是因为从1996年到1998年,dram产业连续第三年衰退,世界制造商遭受了严重的损失。 到那时,全球dram内存市场已经扩展到400亿美元左右的市场规模。 新建8英寸dram晶片制造商很快就需要投资10-15亿美元,损失风险非常高。 日本制造商因连年亏损,失去了追加投资的勇气。

“DRAM芯片战争1970”

1999年,日本富士通宣布退出dram市场,不再玩耍。 曾经非常强大的nec、日立、三菱合并了3家dram部门,设立了埃尔比达( elpida )。 这家重构的dram公司希望通过联合经营来降低价值成本,并与韩国三星抗衡。 东芝也于2001年退出了dram市场。

“DRAM芯片战争1970”

日本之所以组建埃尔比达,是为了保护日本的dram产业不被韩国公司击破。 但是,从成立之初开始,首尔必达就是烫手山芋,据估算,每天开门的话,纯损失将达到2亿日元。 2002年坂本幸雄就任埃尔比达首席执行官,开始了救助计划。 他接到了美国英特尔的订单,筹集资金建造了广岛的12英寸晶片工厂。 艾尔达的全球市场占有率开始逐渐上升。 从2002年到2007年利润增加了三倍。 首尔必达全盛时期,整合日系制造商的研发能力,产量居世界第三位,仅次于三星和海士力量。 但是,以前大举扩张时埋下了祸根。 2007年全球金融危机后,dram价格暴跌,首尔陷入严重亏损。 2009年向日本政府申请了1300亿日元的援助融资。 泰国洪水过后,dram市场低迷。 而且,日元升值是史无前例的,韩元对日元下跌了70%。 这让首尔必达完全措手不及,销售额急速下降。 年2月27日,首尔必达向东京法院申请破产保护,当时企业负债总额达4480亿日元( 89.6亿美元),是日本历史上最大的破产案件。 年7月,美国镁光以仅有25亿美元的低价收购了埃尔比达。 短短两年后,镁市值从60亿美元激增至360亿美元,成为埃尔比达破产的最大受益者。

“DRAM芯片战争1970”

日本公司的退出,进一步扩大了韩国公司竞争的特点。 韩国的公司好像变得可以嘲笑社会了。

但是,在笑容的背后,有谁知道韩国人的悲惨命运吗?

  

年5月,日本三重县四日市、日本东芝和美国闪迪( sandisk )合资建设的12英寸晶圆厂) new fab 2),主要生产48层高的3d nand闪存芯片。 该工厂在原fab2厂址推倒重建,总投资额超过240亿元人民币。 东芝成为日本内存领域迅速发展40多年来唯一取得巨大成果的公司。

“DRAM芯片战争1970”

未完成,没有手续

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