“用光球探测半导体晶体”

东北大学的研究人员开发了利用空心球测量大型半导体晶体的电子和光学特征的技术。 这种做法发表在了《applied physics express》杂志上，可以改进目前的光致发光光谱技术，为大生产者和顾客提供节能设备。

半导体晶体用于制造微处理器芯片和晶体管等电子器件。 制造商必须能够检测晶体缺陷，测试其能量转换效率。 一种方法是测量它们的内部量子效率，或者从电流或受激发激光激发的电子中产生光子的能力。 目前可用的做法限制了一次可以测试的样本量。

东北大学的先进材料科学家kazunobu kojima及其同事设计了改进的光致发光光谱方法，以便能够测试更大的样本。

激发激光照射到半导体晶体上时，标准光致发光光谱检测半导体晶体发出的光的相对量。 光能通过这些激发和发射的过程消失。 由于这些科学家对光致发光光谱进行了实验，因此使用积分球将光子(光的基本粒子)的损失最小化。

积分球聚集激发光和从其内部样本发出的光，其中的光在内部漫反射，直到它均匀分散。 光的均匀分布提高了内部量子效率测试的准确性和重复性。 但是，这意味着被测晶体的尺寸最终会受到球体尺寸的限制。

kojima及其同事发现，即使晶体直接放置在球外，也可以测试晶体的内部量子效率，可以采用更大的样本。

他们测试了一种叫做氮化镓的半导体晶体，该晶体一般用于led，预计因其优异的性能而用于电子器件。

该'； 全方向光致发光'； kojima说，光谱仪可以用于判断大型晶体和半导体晶片的质量，这对于功率器件的大规模生产很重要，并补充说，这将节省能源和降低生产价格。

本文：《“用光球探测半导体晶体”》