“紫外线可以照亮下一代电子设备的改进”

通过在已经无限小的半导体中添加一层原子，新一代的电子器件将成为可能。 这个建立更好、更快的电子产品工作正在进行，但如何测试这些设备的成分以确保性能还不太清楚。 现在，日本名古屋工业大学( nitech )的研究者正在开发尽量完善二维原子层与半导体的连接的方法。

研究人员于4月15日在applied physics letters上公布了他们的研究结果。

他们将石墨烯层应用于氮化镓，这是一种常用的半导体。 石墨烯由单层原子构成，而氮化镓是三维结构。 石墨烯与氮化镓一起被称为异质结器件，对金属和半导体的界面特性有很大的敏感性。

据nitech副教授golap kalita博士介绍，了解gan异质结器件及其如何改进对提高器件性能至关重要。

我们的团队找到了通过照射紫外线来表征器件来揭示石墨烯与氮化镓异质结的界面特性的方法。 kalita先生说。

石墨烯和氮化镓的界面上应该没有杂质，特别是从光获得能量的杂质。 研究表明，用紫外( uv )光照射异质结器件时，光电子)激子)被界面捕获，干扰新闻的传播。

氮化镓含有表面缺陷和其他缺陷，这些缺陷会使该光激发电子被界面捕获。

kalita先生说，我们发现石墨烯与氮化镓的界面状态对接合行为和器件性能有很大的影响。

这样的特征之一被称为磁滞，这是电子嵌入界面、器件行为发生变化的现象。 电子俘获对紫外线非常敏感。 这意味着，如果向异质结照射紫外光，激发电子在界面凝聚，保持陷阱，产生大的滞后窗口。

但是，研究人员将更微细的石墨烯层应用于氮化镓时，如果没有光照射，则不会出现滞后效应，这意味着界面上的明确匹配。 但是，那并不完美。 由于氮化镓固有的缺陷，紫外线照射会激发光激发电子进入疯狂的行为。

kalita先生说，这个发现表明，石墨烯/ gan异质结界面可以在紫外线照射过程中判断。

研究人员表示，判断接口纯度的能力在高性能仪器的开发中具有不可估量的价值。

kalita先生说，这项研究将为在紫外线照射过程中表现其他异质结界面开辟新的可能性。 最终，我们的目标是了解各种二维和三维异质结构的界面，以开发具有石墨烯的新型光电器件。

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